专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]闪存控制-CN200710073655.1在审
  • 黄河 - 忆正存储技术(深圳)有限公司
  • 2007-03-23 - 2007-10-03 - G06F3/06
  • 本发明公开了一种闪存控制,包括:指令解析、传输控制、多个片内闪存控制单元;指令解析进行指令解析和指令分配,指令解析通过片内控制总线与传输控制、多个片内闪存控制单元分别独立交互控制信息;各片内闪存控制单元分别通过各自独立的控制信号传输通道与各组闪存芯片相连,完成控制信号的交互;传输控制通过片内数据总线与各组闪存芯片进行数据交互。采用本发明的闪存控制制作的闪存存储能够大大提高读写速率,有效的解决现有闪存设备存在的读写操作过程中的瓶颈问题。
  • 闪存控制器
  • [发明专利]闪存控制-CN201110252548.1有效
  • 杨宗杰;郭郡杰;林璟辉;沈扬智 - 慧荣科技股份有限公司
  • 2011-08-30 - 2013-03-06 - G11C7/10
  • 本发明提供一种闪存控制,包含有记录媒体以及处理电路。当闪存模块中的数据量小于第一阀值时,处理电路会控制闪存模块的读写电路以第一电压范围内的编程临界电压来编程目标数据区块,以将数据写入目标数据区块。当闪存模块中的数据量高于第二阀值时,处理电路会控制读写电路以第二电压范围内的编程临界电压来编程目标数据区块,以将数据写入目标数据区块,其中第二阀值大于第一阀值,且第一电压范围小于第二电压范围的50%。前述架构能降低将数据写入数据区块所需的耗电量,更有效改善闪存模块的耐耗损能力和数据可靠度。
  • 闪存控制器
  • [发明专利]闪存控制-CN200810036864.3无效
  • 沈世祥 - 环达电脑(上海)有限公司
  • 2008-04-29 - 2009-11-04 - G06F3/06
  • 本发明提供一种闪存控制,适用于接收系统传来数据并快速读写至闪存阵列,至少包括:一控制单元,其连接于系统和闪存阵列,该控制单元接收系统发送的信息进行处理,并对闪存阵列进行存储和读取,且该控制单元接收闪存阵列反馈信息进行处理并传输至系统,该控制单元设有一独立冗余磁盘阵列控制模块,该独立冗余磁盘阵列控制模块上设有一指令及寻址转换控制模块;一数据总线,该数据总线连接上述控制单元和闪存阵列,对所述控制单元、闪存阵列之间进行信息传递。本发明闪存控制,在闪存阵列读写的过程中能同时对闪存阵列中闪存芯片进行操作,提高闪存阵列的读写速度。
  • 闪存控制器
  • [发明专利]卡槽式闪存硬盘-CN200810007431.5无效
  • 陈明航 - 深圳市朗科科技股份有限公司
  • 2008-03-07 - 2009-09-09 - G11C7/10
  • 本发明提供一种卡槽式闪存硬盘,包括多个闪存级联构成的用于存储数据的闪存组件和用于控制闪存组件的闪存硬盘控制,其中,闪存硬盘控制包括接口电路单元、数据缓存和微控制,以及与闪存对应的闪存控制构成的闪存控制组件通过闪存硬盘控制控制闪存组件中的闪存,实现数据读写,同时闪存组件通过扩展卡槽与闪存硬盘控制进行连接。可以提高硬盘读写效率,降低硬盘体积和成本,同时可以改善抗震性能,方便硬盘容量扩展。
  • 卡槽式闪存硬盘
  • [发明专利]闪存物理层的测试方法及闪存设备-CN202111672874.8在审
  • 陆震熙;黄运新 - 深圳大普微电子科技有限公司
  • 2021-12-31 - 2022-04-12 - G11C29/12
  • 本申请实施例涉及存储设备应用领域,公开了一种闪存物理层的测试方法及闪存设备,该方法包括:将闪存控制闪存物理层与模拟颗粒的闪存物理层对接;由闪存控制闪存物理层向模拟颗粒的闪存物理层执行读操作,以使闪存控制闪存物理层获取模拟颗粒的闪存物理层发送的数据;若闪存控制闪存物理层获取的数据与模拟颗粒的闪存物理层发送的数据一致,则确定闪存控制闪存物理层的功能正常。通过设置一个模拟颗粒,将模拟颗粒的闪存物理层与闪存控制闪存物理层对接,若闪存控制闪存物理层获取的数据与模拟颗粒的闪存物理层发送的数据一致,则确定闪存控制闪存物理层的功能正常,本申请能够提高对闪存物理层的测试能力
  • 闪存物理层测试方法设备
  • [发明专利]串行闪存控制、串行闪存及其执行的方法-CN201210332366.X有效
  • 周玉珊;苏俊嘉 - 联发科技股份有限公司
  • 2012-09-10 - 2013-05-29 - G06F13/16
  • 一种串行闪存控制、串行闪存及其执行的方法,其中串行闪存控制与串行闪存由串行时钟线、多个串行输入/输出线以及锁存线互连,并且串行时钟线从串行闪存控制运送串行时钟至串行闪存,由串行闪存控制与串行闪存执行的方法包含:通过串行输入/输出线与锁存线分别从串行闪存同步发送数据位元与存储产生的锁存信号至串行闪存控制;以及允许串行闪存控制利用存储产生的锁存信号代替串行时钟以锁存通过串行输入/输出线接收的数据位元。本发明提供的一种串行闪存控制、串行闪存及其执行的方法可同步串行闪存与串行闪存控制之间信息位元的发送。
  • 串行闪存控制器及其执行方法
  • [发明专利]提供虚拟闪存装置的方法和设备-CN200680032600.X无效
  • J·吕德里克 - 英特尔公司
  • 2006-08-03 - 2008-09-03 - G06F3/06
  • 一种向主机提供虚拟闪存装置的闪速存储系统。所述系统包括主控制闪存装置。主控制(例如处理)经由闪存接口耦合到闪存装置。闪存装置包括集成控制、随机存取存储(RAM)、只读存储(ROM)和闪存阵列。集成控制基于闪存阵列的物理资源向主控制提供虚拟资源。集成控制包括闪存配置标识符和闪存配置。所述闪存配置标识符可以被配置为识别闪存阵列的第一闪存配置。例如,第一闪存配置可以是闪存阵列的物理闪存配置或默认闪存配置。闪存配置标识符还可以识别第二闪存配置。例如,第二闪存配置可以是逻辑闪存配置或替代的闪存配置。闪存配置可以被配置为将所述闪存阵列从所述第一闪存配置配置为所述第二闪存配置。
  • 提供虚拟闪存装置方法设备
  • [发明专利]一种闪存的烧录装置及设备-CN202210279162.8在审
  • 付海涛;王承;郭超;余振刚;黄俊林 - 华为技术有限公司
  • 2022-03-21 - 2023-09-29 - G06F8/61
  • 本申请提供一种闪存的烧录装置及设备,涉及电子技术领域,用于在实现闪存的在线烧录的同时,提高闪存的烧录速率、以及实现闪存的全字段烧录。所述装置包括:闪存控制、以及与所述闪存控制耦合的测试访问端口TAP控制电路和闪存接口,所述闪存接口用于连接闪存;所述TAP控制电路,用于为所述闪存控制配置烧录地址;所述TAP控制电路,还用于向所述闪存控制发送烧录数据;所述闪存控制,用于接收所述烧录地址和所述烧录数据,并根据所述烧录地址通过所述闪存接口将所述烧录数据烧录至所述闪存中。
  • 一种闪存装置设备

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